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成功案例

英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET为电力电子领域设定新标准

来源:火狐娱乐app    发布时间:2024-03-08 18:52:38

  在当今高度依赖电力的社会中,功率损耗已成为电力电子领域不可忽视的重要的条件。为满足行业对更高效、更可靠的电力处理方案的需求,英飞凌科技股份公司近日推出了新型的碳化硅CoolSiC MOSFET G2沟槽技术。这一技术为AC/DC、DC/DC、DC/AC电源方案中的功率传输效率设定了新的标准,引领着电力电子领域的发展。

  与传统的硅功率器件相比,CoolSiC MOSFET G2在硬开关和软开关操作中展现出了显著的优势。其关键品质因数相比上一代G1提高了20%以上,使得在相同的条件下,它能够以更高的效率进行电力转换。此外,SiC MOSFET的快速开关能力也提高了30%以上,逐渐增强了其在各种应用中的性能表现。这些优势使得G2在光伏逆变器、储能装置、电动汽车充电以及UPS等多种运行模式下都能实现较低的功率损耗,为现场处理的每瓦特节能提供了强有力的支持。

  值得一提的是,英飞凌独特的.XT互连技术也在其中发挥了及其重要的作用。该技术有助于在保持热性能的同时提高半导体芯片的性能,从而克服了该领域的常见挑战。新一代产品的热性能提高了12%,将芯片的品质因数提升到了SiC性能的新水平。此外,CoolSiC G2 MOSFET产品组合还实现了SiC MOSFET市场中最低的导通电阻(Rdson),进一步提升了能效和功率密度,并减少了零件数量。

  除了卓越的性能表现,CoolSiC MOSFET G2还提升了可靠性,以确保在长期现场运行中达到最佳性能。其中,1200V产品组合可在150℃可靠运行,并具有高达200°C虚拟结温的过载操作能力,使得系统模块设计人员能够更灵活地应对电网波动等挑战,同时减少冷却工作并简化系统设计。

  英飞凌科技股份公司的CoolSiC MOSFET G2技术的推出,开启了电力系统和能源转换的新篇章。该技术不仅提高了整体能源效率,进一步促进了脱碳,而且为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等各种功率半导体应用的用户带来了巨大的优势。与前几代产品相比,配备CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站可减少高达10%的功率损耗,同时在不影响外观尺寸的情况下实现更高的充电容量。基于CoolSiC G2器件的牵引逆变器能更加进一步增加电动汽车的续航能力。在可再次生产的能源领域,采用CoolSiC G2设计的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时缩小尺寸,以此来降低每瓦成本。

  英飞凌绿色工业电力部门总裁Peter Wawer博士表示:“大趋势需要新的、高效的方式来产生、传输和消耗能源。凭借CoolSiC MOSFET G2,英飞凌将碳化硅性能提升到了一个新的水平。新一代SiC技术能够加速设计成本更优化、紧凑、可靠且高效的系统,从而节省能源并减少现场安装的每瓦特的CO2排放量。”

  英飞凌领先的CoolSiC MOSFET沟槽技术结合屡获殊荣的.XT封装技术,逐渐增强了基于CoolSiC G2的设计潜力,具有更高的导热性、更好的装配控制和更高的性能。此外,英飞凌掌握硅、碳化硅和氮化镓(GaN)领域的所有相关功率技术,提供设计灵活性和领先的应用专业相关知识,满足现代设计人员的期望和需求。基于SiC和GaN等宽带隙(WBG)材料的创新半导体是有意识、高效利用能源促进脱碳的关键。

  关键字:引用地址:英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET,为电力电子领域设定新标准

  现代-起亚集团的 E-GMP 纯电平台以 800V 高电压架构、高功率充电备受肯定,原先 E-GMP 平台在后马达 Inverter 逆变器的功率模块(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半导体,成本与转换效率比传统的硅半导体更高,更能提升续航。 如今瑞士半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模块,并确认 E-GMP 平台的起亚 EV6 等车款将采用,预计在动力、续航都能再升级。 E-GMP 平台,原先已在后马达逆变器采用 SiC 碳化硅功率模块 现代-起亚集团的 E-GMP 平台,其不同于目前主流电动车的 400V 电压架构,而

  功率模块,这品牌用上了? /

  Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm

  Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器 适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器 美国加利福尼亚州圣何塞,2023年12月12日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可靠的工作。 SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器 可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能,保护紧凑型SiC MOSFET

  和IGBT模块的门极驱动器 /

  碳化硅(SiC)电源管理解决方案搭配 可配置数字栅极驱动技术助力实现“万物电气化” Microchip Technology Inc. Nitesh Satheesh/Tomas Krecek/Perry Schugart/Xuning Zhang/Kevin Speer 绿色倡议持续推动工业、航空航天和国防应用,尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。 碳化硅(SiC)是引领这一趋势的核心技术,可提供多种新功能不断推动各种各样的车辆和飞机实现电气化,由此减少温室气体(GHG)排放。 碳化硅解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统,为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置(APU)

  )电源管理解决方案搭配 /

  英飞凌在 20 多年前就开始碳化硅 (SiC) 的生产,并长期以来将这样一种材料视为电力电子的未来。现在,更多的公司正在进入这一领域。 目前,包括通用和特斯拉等汽车制造商正在转向采用 SiC 芯片,以制造电动汽车 (EV),SiC可以使汽车充电后可以行驶更远,并且充电更快。 英飞凌 SiC 业务副总裁 Peter Friedrichs 表示,SiC是很适合在 650 V 或更高电压下的电源管理应用,尤其是在汽车等高温和恶劣环境下。他指出,SiC器件具有独特的物理特性,使客户能够将更多功率转换集成到更紧凑,更轻便,更少散热的外壳中,来提升了功率密度。 Friedrichs 表示,英飞凌目前向 3000 多家客户销售 Si

  市场地位,如今服务客户已超3000 /

  2018年2月28日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号: ON )推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗,并轻轻松松实现器件并联。 安森美半导体最新发布的650 V SiC 二极管系列 提供6安培(A)到50 A的表面贴装和穿孔封装。所有二极管均提供零反向恢复、低正向压、不受温度影响的电流稳定性、高浪涌容量和 正温度系数 。 工程师在设计用于 太阳能光伏逆变器、 电动车/混和动力电动车(EV / HEV)充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器

  二极管提供更高能效、更高功率密度和低成本 /

  APM32系列模块助力所有类型的电动汽车实现更快充电和更远续航里程 2022年9月29日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美,今天宣布推出三款基于碳化硅 (以下简称”SiC”) 的功率模块,采用压铸模技术,用于所有类型电动汽车 (以下简称“xEV”) 的车载充电和高压 (以下简称“HV”) DCDC转换。 APM32系列是把SiC技术和压铸模封装相结合的行业首创产品,可提高能效并缩短xEV的充电时间,专用于11 kW到22 kW的大功率车载充电器 (以下简称“OBC”)。 这三款模块都表现出低导通损耗和开关损耗的优势,结合同类最佳的热阻和高压隔离,可处理800 V总线电压。 更高的能效和更少的发热最终使OBC的性

  、用于车载充电器的汽车功率模块 /

  近期,芯片 短缺 带来的影响传导到新能源汽车、智能手机等终端市场,这其中对于新能源汽车的影响更加露骨。从1月份至3月份,新能源汽车销量都出现同比下降,蔚来甚至宣布停产。 值得一提的是,碳化硅作为新能源汽车的主要增长市场,国内厂商纷纷布局、扩充产线。为何新能源汽车减产,SiC生产线依旧需要扩产,未来是否会出现产能过剩呢? SiC上车成为趋势,天岳先进、 泰科 天润、扬杰科技等加速SiC布局 市场调查与研究多个方面数据显示,2026年,全球碳化硅功率器件的市场规模将从2020年的6.29亿美元上升为47.08 亿美元,年复合增长率达到42.41%。如此巨大的市场,对于国内碳化硅厂商企业来说无疑是个好消息。 从应用领域来看,碳化硅半导体材料与

  上车新计划!汽车减产毫发无伤? /

  长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的技术经验,具备全面的功率产品封装外形,覆盖IGBT、SiC、GaN等热门产品的封装和测试。 其中,在汽车高密度电源封测领域,长电科技依托差异化的功率模块技术实现了行业领先的电源/主驱方案。 针对高功率密度碳化硅(SiC)功率模块,长电科技采用的创新封装技术可显著减少寄生效应和热阻,并利用先进的互连技术提供强大的封装可靠性,减少功率损耗,帮助客户提升产品的应用性能。 汽车电动化提速、新能源汽车市场景气度不断攀升,为汽车功率半导体市场打开增长窗口。新能源汽车的电机控制管理系统、DC-DC转换、电空调驱动、OBC、电池管理都会用到大量的功率器件。 根据Strategy Analytic

  针对电池供电中低压大电流驱动方案

  Understanding and overcoming the challenges of building high voltage automotive battery management

  high voltage Inverter Application Presentation

  high voltage Inverter Application Presentation

  直播回放: 基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET,有效提升功率密度,肉眼可见

  直播回放: 贝能国际推出基于英飞凌技术的毫米波雷达模组,完美解决PIR市场痛点

  HVI系列 - 如何驱动碳化硅 MOSFET 以优化高功率系统的性能和可靠性

  报名赢【养生壶、鼠标】等|STM32 Summit全球在线大会邀您一起解读STM32方案

  有奖征文:邀一线汽车VCU/MCU开发工程师,分享开发经验、难题、成长之路等

  MPS电机研究院 让电机更听话的秘密! 第一站:电机应用知识大考!第三期考题上线,跟帖赢好礼~

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  ENNOVI推出ENNOVI-CellConnect-Prism,彻底颠覆电池技术

  支持实现方形电芯之间的稳固连接,灵活运用于CTM、CTP和CTC等先进的动力电池系统,简化装配流程,并降低材料成本。新加坡(2024年3月7日) ...

  ~静态电流仅160nA,有助于消费电子和工业设施应用更加省电~全球知名半导体制造商ROHM(总部在日本京都市)开发出静态电流超低的线性运 ...

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  美国 ION 公司固态电池新突破:超 125 次循环,容量衰减低于 5%

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  贸泽电子开售支持图像处理和边缘AI加速的Advantech VEGA-P110 PCIe Intel Arc A370M嵌入式GPU卡

  Microchip 有奖直播满足汽车电池管理系统 (BMS) 持续不断的发展的安全标准

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