电源防反接电路图 分享几种电源防反接电路设计

来源：火狐娱乐app    发布时间：2024-04-08 14:30:25

  正接，寄生二极管导通，S极电压升高，VGS ≈ -Vin，从而PMOS开启，一般导通电阻在数十mΩ，导通损耗远低于二极管。

  电源反接，寄生二极管截止，VGS = 0，PMOS关断，后级设备电压为0。

  如果使用PMOS的Vgs耐压低于电源电压，能够正常的使用稳压管限制Vgs。或者在输入电压基本不变的情况下，也能够正常的使用电阻分压。

  PMOS要选择合适的Vds、Vgs耐压，选择低Rds的型号能减小损耗

  否则，如下右图，因为负载电池有5V电压，V G S = - 5 V，实际上PMOS还是开启了，输入反接还是会导致过流。

  以常用的5V/2A为例。常用二极管串联在电路中，在电源反接时，二极管承担所有的电压，有很大效果预防电源反接损坏后级设备。但是，二极管上压降较大，损耗较高。

  使用肖特基二极管能减小损耗，但是仍对电路有较大影响，特别是在电源电压更低的情况下。

  使用反并二极管+保险丝，正常运行时基本没损耗。在电源反接时，电源侧接近短路，保险丝熔断，以此来实现保护。反接发生后，二极管和保险丝一般都要换掉。并且，输入反接时产生一个负压，后级设备还是有可能损坏。

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  提供电压。还有许多其他方法，为电子设备供电，如适配器，太阳能电池等，但最常见的直流

  供电为例，配置的电压为5伏特，电流为2安培。在常规情况下，二极管它是串联在

  损坏。但是因为于二极管上存在很大的电压降，这将会导致能量的损失增加很多。

  损坏后级设备。但是，二极管上压降较大，损耗较高。使用肖特基二极管能减小损耗，但是仍对

  最大的优势是几乎零压降，二极管的压降一般都0.5V~1V左右，但是MOS管就不一样了，MOS管的内阻很小，小的只有几mΩ。 假如5mΩ的内阻，经过1A的电流压降只有5mV，10A电流压降也才50mV。

  插头怼到耳机插孔的用户。好的设计一定是傻瓜式的，充分避免用户犯错。其中，

  欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫伏。由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐开始使**用MOS管防

  每个产品设计时都会有一个供电接口，对这些需要直流供电的设备，我们在设计时一定需要考虑到其

  到板子的时候，如果一个疏忽接反了，非常有可能烧毁芯片或器件，所以要设计

  一些电池供电的设备，工控类的一些现场终端设备等，在设计时都会有一个供电接口，对这些需要直流供电的设备，在设计时一定需要考虑到其

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  包含机械换向和电子换向两个部分，能够较好地解决大功率设备移动供电问题，适用于电气化公路供电和移动电器设备供电。

  ，这个可谓英雄所见略同，但是大部分文章的说明部分都一样，那么这就……（不符合我的风格，不浮夸，不将就。即便是总结 ，原理可以一样，但是说明照

  的视频给大家。注意，视频的重点不是看芯片怎么着火了，而是教给大家四种简单实用的

  提供电压。还有许多其他方法，为电子设备供电，如适配器，太阳能电池等，但最常见的直流

  小结原创霁风AI 最后发布于2018-05-08 00:01:24 阅读数 15349 已收藏展开前言：1.概述

  端直接串入二极管。常用1N4007，使用时需注意正向额定电流1A。保险管

  功能，这种方法简单，安全可靠，成本也最低，但是输出端会有0.7V左右的压降，还有就是如果

  保护。如下图1示：这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如

  有一同事（实习生），没什么项目经验。然后加工回来的线材直接就拿来调试用了，结果加工线材

  的，一通电后直接炸电容。炸完后还一脸懵逼的在哪里看。（请忽略下图）下面

  只有2.6左右了, 可怕! 还有消耗电能和发热问题. 因此MOS管的 0压降 + 大电流 , 就越来越普遍被用在

  中的相关器件损坏。这样不仅浪费设计成本，而且还会是开发周期延长。所以在

  ，由于功率MOS管的内阻很小，现在 MOSFET Rds（on）已经能做到毫欧级，解决了现有采用二极管

  电子产品设备在使用的过程中最容易且最致命的一个错误操作就是：正负极接反，运气好没啥大事，通常轻则烧毁

  ，方法多种，现在推荐用一颗肖特基整流二极管，最简单有效肖特基整流二极管特性：单向导电性、功耗低

  时必须考虑工作电流，如果工作电流比较大，二极管选型时需确认的耐流值，并做好散热工作。

  正、负极，可能会发生意外事故或者烧坏电子科技类产品。为避免这些意外发生，提升产品的可靠性，我们大家可以设计一个

  ，但是二极管会产生正向压降，不适合低电压供电的情况，如3.3V。而场效应管因为内阻低，所以导通压降可忽略不计。下面以MOSFET为例来介绍场效应管的