采用最小型封装 东芝推出全新低压驱动光继电器系列

来源：火狐娱乐app    发布时间：2024-04-09 18:34:24

  东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，其作为小型化尖端光继电器领域的业界领先企业，现推出了光继电器新家族（共五款），均采用业界最小型[1]封装S-VSONR4（2.0mm×1.45mm）。新产品适用于自动测试设备、存储测试器、SoC／LSI测试器和探针卡等。即日开始供货。

  TLP34xxSRL系列（两款产品）和TLP34xxSRH系列（三款产品）都具备输入电压驱动特性。TLP3406SRL和TLP3407SRL支持1.8V（典型值）至3.3V（典型值）的直流电压范围，而TLP3406SRH、TLP3407SRH和TLP3412SRH则支持3.3V（典型值）至5V（典型值）的直流电压范围，上述特性可提升对目前低压FPGA的兼容性。

  这些新款光继电器采用微型S-VSONR4封装，需要2.9mm2的贴装面积，该封装与东芝的上一代封装VSONR4（2.75mm×1.45mm）相比，尺寸缩小大约27%。此外，这些光继电器都内置输入电阻，无需使用外置输入电阻，从而节约空间。微型封装及其空间要求有助于工程师设计出尺寸更小的测试板，特别是探针卡。它还允许增加电路板上的光继电器数量，以实现更高密度的解决方案。

  尽管采用微型封装，但新款光继电器能够驱动较大电流：TLP3406SRx可驱动高达1.5A的电流，断态电压VOFF为30V，导通电阻Ron为0.2Ω（最大值）；TLP3407SRx可驱动高达1A的电流，VOFF为60V，Ron为0.3Ω。TLP3412SRH可驱动高达0.4A的电流（VOFF＝60V／Ron＝1.5Ω）。因此它们非常适用于多种测试设备的电源应用。所有这些新产品都确保支持高达110℃（最大值）的工作温度。

  任意电压输入控制光继电器的最小封装：贴装面积2.9mm2（典型值）（截至2019年6月4日）；

  控制信号采用双输入电压：直流1.8V（典型值）和直流3.3V（典型值）；

  东京 东芝公司（TOKYO：6502）今天宣布，该公司将推出以物联网（IoT）为目标的TZ5010XBG、TZ5011XBG、TZ5021XBG和TZ5023XBG来扩大其ApP Lite 处理器阵容。这一些产品通过东芝专有的基于硬件的电源管理技术和系统集成技术来降低功耗，以此来实现高内存效率和强大的安全特性。. 样品出货即日起启动，TZ5010XBG和TZ5011XBG的批量生产计划于本月底启动，而TZ5021XBG和TZ5023XBG的批量生产则定于6月启动。 基于 ARM Cortex -A9双核处理器的TZ5010XBG和TZ5011XBG应用处理器整合了高速Wi-Fi 802.11ac、图形和视频引擎

  ：物联网解决方案ApP Lite™ TZ5000系列扩容 /

  集微网消息，全球第 2 大 NAND 型快闪存储器厂东芝（Toshiba）28 日宣布，携手 SanDisk 研发出全球首款采用堆叠 96 层制程技术的 3D NAND Flash 产品，且已完成试样。该款产品为 256Gb（32GB）、采用 3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技术的产品，预计于 2017 年下半送样、2018 年开始做量产，主要用来抢攻数据中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手机、平板电脑和存储卡等市场。 东芝今后也计划推出采用堆叠 96 层制程技术的 512Gb（64GB）3D NAND 产品以及采用全球首见的 4bit/cell（QLC = Quad-Level Cell）

  东芝存储器株式会社第四代BiCS FLASH™层数增加，存储容量提高 东京--存储器解决方案全球领导者东芝存储器株式会社今日宣布，公司已开发出采用堆叠式结构 的96层BiCS FLASH™三维（3D）闪存的原型样品，该产品采用三位元（三阶存储单元，TLC）技术。该96层新产品为256千兆比特（32GB）设备，其样品预计将于2017年下半年发布，批量生产计划于2018年启动。该新产品满足企业级和消费级SSD、智能手机、平板电脑和存储卡等应用的市场需求和性能规范。 未来，东芝存储器株式会社将在不久的将来在其512千兆比特（64GB）等较大容量产品中应用其新的96层工艺技术和4位元（四阶存储单元，QLC）技术。 创新的96层层叠

  东芝公司宣布推出两款使用“ApP Lite™ TZ5000”的入门套件，主要面向面向web应用开发。两种类型的入门套件能够完全满足各种应用开发需求：RBTZ5000-2MA-A1，带有各种扩展I/O的标准板卡(相机或麦克风);RBTZ5000-6MA-A1，经优化用于媒体流设备的条形板卡。出货时间预计在10月份。 TZ5000是一款整合了符合IEEE802.11ac要求的基频功能的应用处理器。IEEE802.11ac是下一代高速无线局域网(LAN)标准。它不仅简单地将原始数据传送至云端，如传感器采集的图像，而且还执行高效信号处理和提取必要数据，由此减少数据负载。 新的入门套件为使用HTML5的RIA(富互联网应用) 提

  东芝公司通过开发“时域神经网络1”（TDNN）继续履行其关于促进物联网和大数据分析的承诺，TDNN采用了超低功耗神经形态半导体电路以执行深度学习处理。不同于传统的数字处理器，TDNN包含有大量的采用了东芝原创模拟技术的微小处理单元。我们在11月8日于日本举行的A-SSCC 2016（2016年亚洲固态电路会议）会议上对TDNN作了报告，A-SSCC是由IEEE主办的半导体电路技术国际会议。 深度学习需要大量的计算，特别是在高性能处理器上执行计算，需要消耗大量的电能。但是若要让传感器和智能手机等IoT边缘设备实现深度学习功能，这就需要用既能执行大量所需操作而又只消耗超低电能的高效节能型IC。 对于冯·诺伊曼式2计算机结构，

  凭借超低功率神经形态处理器推进了深度学习 /

  8月22日消息，在移动硬盘拓展容量的最前沿，富士通今年夏初刚宣布不久它将推出一款300GB、2.5英寸移动硬盘，但现在它的领头羊已被东芝的320GB硬盘所取代。东芝的这款硬盘将在今年第四季度推出，此外东芝还打算在2008年的第一季度推出该硬盘的外用版本。 据PCWorld网站报道，东芝新推出的一系列硬盘容量为80GB到320GB，它们均采用该单位现在有产品中的单碟120GB和单碟160GB设计。这些硬盘采用串行ATA界面，转速为5400rpm。 除了推出在容量上领先全球的320GB硬盘外，东芝还宣布将推出一系列转速为7200rpm的产品，这些SATA硬盘的容量为80GB到200GB，并配备了一个16MB缓存（5400rpm系列缓存

  东芝(Toshiba)和Western Digital(WD)领先业界，宣布抢在存储龙头三星电子之前，研发出96层3DNANDflash存储。韩国方面质疑此一新闻的真实性，指称东芝可能为出售存储部门，蓄意放出消息、操弄媒体。 韩媒BusinessKorea 3日报导，东芝和WD为了东芝存储(Toshiba Memory Corporation、TMC)出售案，搞到撕破脸互告。韩国业界人士称，东芝财务吃紧，被迫出售存储求现，避免因为资本减损(capital impairment)下市，怀疑东芝有能力投入庞大资金、进行研发。 有关人员猜测，东芝发布96层3D NAND新闻稿，可能是想操纵媒体，炒热存储业务买气。此一消息可以突显东芝半

  东京 东芝公司（TOKYO：6502）旗下半导体与存储产品公司今日宣布推出 SG5系列 客户端SSD，该SSD集成有采用15nm TLC工艺技术制造的NAND芯片。包括大容量1024GB型号在内的新产品将提供2.5-型和M.2 2280型（单面和双面）两种外形，以满足不断扩张的SSD应用领域的各种封装要求。样品发货即日启动。 SG5系列配备东芝专有的QSBC （Quadruple Swing-By Code） 错误修正技术，这种高效率错误修正码（ECC）有助于保障客户的数据免于损毁并提高可靠性。 东芝将继续加强其SSD阵容，以使用户得到满足的不一样的需求并引领逐步扩大的SSD市场。 新产品概述

  推出使用15nm TLC NAND闪存的客户端SSD /

  IC

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