SiC MOSFET驱动负压关断形式在许多使用场景中会影响器材开关的牢靠性。跟Si功率器材比较，SiC MOSFET开关速度较快、dv/dt高，易引起栅极串扰。当栅极串扰电压ΔVgs超越器材阈值电压Vgs(th)时，器材将会存在误注册危险。在这种情况下，SiC MOSFET简单损坏。因而在许多工况下，SiC MOSFET需求负压关断用以保证系统安全。

  如图1所示，上管MOS关断时分，桥臂中点电位下降，dv/dt经过下管的米勒效应在下管栅极负向串扰电压。上管注册时分，桥臂中点电位上升，dv/dt经过下管的米勒效应在下管栅极正向串扰ΔVgs。当ΔVgsVgs(th)，上下功率管桥臂直通，形成器材损坏。相同原理，下管注册和关断也会在上管栅极别离形成正向和负向串扰。

  别的，SiC MOSFET的敞开阈值电压随温度的升高而下降。因而，在栅极串扰效果下，高温下器材栅极串扰电压形成桥臂直通的危险进一步加大。因而，为防止SiC MOSFET的误导通，常常要负压驱动。可是，现在大部分驱动芯片不支持负压驱动。本文将引荐两种驱动电路计划，根据单电源驱动芯片就能轻松完成负压关断。

  图2为根据单电源驱动芯片的驱动电路计划一。VDD1电源经过电阻R1//R2给电容C8//C9充电，电容两头电压快速上升到D4反向击穿电压今后，D4的两头电压安稳，负压VDD2随之树立。VDD1对地PGND-HS的电压幅值巨细等于正向驱动电压幅值和关断负压绝对值之和。驱动芯片6脚输出PWM驱动信号。R6为注册电阻，R6//R8为关断电阻。SiC MOSFET的栅极经过驱动芯片内部集成上拉开关管接到芯片电源（VDD1）或许下拉开关管接到芯片地（PGND-HS）。

  在某些使用场景下，辅佐电源无闭环电压操控，VDD1电源瞬态过压很高。这种工况下限流电阻和稳压管的功耗需求细心核算，防止器材过热损坏。

  图2的驱动计划中，VDD1辅佐电源一旦有输出，负压VDD2瞬间就可以树立。换而言之，负压VDD2可以在PWM驱动信号使能之前建。因而，SiC MOSFET的每个开关周期都是负压关断，驱动牢靠。

  图3的驱动电路计划二是使用电容C1完成负压关断。C1比SiC MOSFET输入电容要大许多，以保证最长的关断时刻内，C1在放电的情况下依旧可以给我们供给满足的负压。只要在PWM驱动信号使能条件下，VDD1经过驱动芯片内部上拉管子给C1充电。因为C1两头电压树立需求若干个开关周期。因而，SiC MOSFET在最初始的若干个PMM周期关断负压缺乏，如图4所示。开关频率越高，C1充电到安稳负压的时刻越长，负压关断缺乏的PWM周期数越多，驱动串扰危险加重。

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